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氮化鎵 碳化硅 IGBT
大力發(fā)展第三代半導體為綠色能源做貢獻
氮化鎵 碳化硅 IGBT
凱泰電子提供氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。
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