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氮化鎵碳化硅 IGBT

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氮化鎵碳化硅 IGBT

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT產(chǎn)品具有較大的飽和電流和良好的導(dǎo)通損耗/開(kāi)關(guān)損耗折中特性，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)充電、家用電器驅(qū)動(dòng)、計(jì)算機(jī)電源、UPS等領(lǐng)域

氮化鎵（GaN）

氮化鎵（GaN）

氮化鎵（GaN）

氮化鎵芯片具有高頻特性優(yōu)異、高功率密度、低損耗、高溫工作能力強(qiáng)、易于集成、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)勢(shì)，在高頻通信、功率電子、消費(fèi)電子、新能源汽車(chē)、航空航天等諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景和巨大的發(fā)展?jié)摿?，但目前也面臨制造成本較高、技術(shù)難度較大等挑戰(zhàn)。

碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）

SiC碳化硅二極管具有電氣性能優(yōu)異（高擊穿電壓、低導(dǎo)通損耗、極小反向恢復(fù)電流）、熱性能良好（高熱導(dǎo)率、高工作溫度）、物理特性獨(dú)特（小尺寸、高抗輻射能力）、正溫度系數(shù)利于并聯(lián)以及良好頻率特性等優(yōu)勢(shì)

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